Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45568
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛовшенко, И. Ю.-
dc.contributor.authorСтемпицкий, В. Р.-
dc.contributor.authorLovshenko, I. Y.-
dc.contributor.authorStempitsky, V. R.-
dc.date.accessioned2021-10-07T11:17:21Z-
dc.date.available2021-10-07T11:17:21Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationЛовшенко, И. Ю. Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистора / Ловшенко И. Ю., Стемпицкий В. Р. // Автоматизированные системы управления технологическими процессами АЭС и ТЭС = Instrumentation and control systems for NPP and TPP : материалы II Международной научно-технической конференции, Минск, 27-28 апреля 2021 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2021. – С. 257–262.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45568-
dc.description.abstractПредставлены результаты моделирования воздействия потока протонов на электрические характеристики приборной структуры полевых транзисторов на основе GaAs. Определены зависимости максимального тока стока IС и напряжения отсечки от величины флюенса и энергии протонов, а также температуры окружающей среды.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectполевые транзисторыru_RU
dc.subjectионизирующее излучениеru_RU
dc.subjectэлектрические характеристикиru_RU
dc.subjectfield-effect transistorsru_RU
dc.subjectionizing radiationru_RU
dc.subjectelectrical characteristicsru_RU
dc.titleУчет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистораru_RU
dc.title.alternativeThe influence of protons in the electrical characteristics of arsenide-gallium field effect transistorru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationThe results of simulation the influence of the proton flux on the electrical characteristics of the device structure of field-effect transistors based on GaAs are presented. The dependences of the maximum drain current IC and cut-off voltage on the fluence value and proton energy, as well as on the ambient temperature are shown.-
Appears in Collections:Автоматизированные системы управления технологическими процессами АЭС и ТЭС (2021)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Lovshenko_Uchet.pdf486.39 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.