https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/4570
Title: | Влияние морфологии на электронные свойства <111>-ориентированных GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP и InSb наношнуров |
Other Titles: | Effect of morphology on electronic properties of the <111> -oriented GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP and InSb nanowires |
Authors: | Яцыно, Д. А. Мигас, Д. Б. Арситов, Я. С. Филонов, А. Б. Колосницын, Б. С. |
Keywords: | доклады БГУИР;АIII-BV наношнуры;морфология и зонная структура наношнуров |
Issue Date: | 2015 |
Publisher: | БГУИР |
Citation: | Влияние морфологии на электронные свойства <111>-ориентированных GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP и InSb наношнуров / Д. А. Яцыно [ и др.] // Доклады БГУИР. - 2015. - № 3 (89). - С. 77 - 82. |
Abstract: | Приведены результаты расчетов методами из первых принципов <111>-ориентированных GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs и InSb наношнуров со структурой цинковой обманки, которые показывают, что морфология таких наношнуров кардинально влияет на их электронные свойства. Установлено, что для наношнуров с {011} гранями на поверхности формирование небольших по размеру {112} кромок между соседними {011} гранями приводит к более стабильной структуре и удаляет поверхностные состояния в районе запрещенной зоны без пассивации водородом. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/4570 |
Appears in Collections: | №3 (89) |
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Yatsyno_Vliyaniye.PDF | 904.55 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.