| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Чан, Туан Чунг | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.contributor.author | Сорока, С. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-07-02T09:13:57Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:25:14Z | - |
| dc.date.available | 2015-07-02T09:13:57Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:25:14Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Чан, Туан Чунг Оптимизация конструктивно-технологических параметров и верификация электрических характеристик МОП-транзистора с 0,35 мкм проектными нормами / Чан Туан Чунг, В. Р. Стемпицкий, С. А. Сорока // Доклады БГУИР. - 2015. - № 3 (89). - С. 83 - 89. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/4580 | - |
| dc.description.abstract | Представлено описание оригинального комплексного подхода к решению задачи
статистического анализа в процессе сквозного проектирования изделий микроэлектроники
от этапа проектирования технологического процесса до проектирования системы. Описано
тестирование данной методики на примере исследования влияния разброса
технологических параметров на конструктивные и электрические характеристики 0,35 мкм
МОП-транзистора, а также на характеристики аналоговых и цифровых схемотехнических
решений на его основе. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | интегральная микросхема | ru_RU |
| dc.subject | МОП-транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | статистический анализ | ru_RU |
| dc.subject | моделирование | ru_RU |
| dc.title | Оптимизация конструктивно-технологических параметров и верификация электрических характеристик МОП-транзистора с 0,35 мкм проектными нормами | ru_RU |
| dc.title.alternative | Optimization of technological parameters and verification of electrical characteristics of the 0.35 μm MOSFET | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | №3 (89)
|
