DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Галкин, Я. Д. | - |
dc.contributor.author | Дворников, О. В. | - |
dc.contributor.author | Чеховский, В. А. | - |
dc.contributor.author | Прокопенко, Н. Н. | - |
dc.date.accessioned | 2021-11-30T11:33:33Z | - |
dc.date.available | 2021-11-30T11:33:33Z | - |
dc.date.issued | 2021 | - |
dc.identifier.citation | Экспериментальные исследования и модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем / Галкин Я. Д. [и др.] // Доклады БГУИР. – 2021. – № 19 (7). – С. 5–12. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-7-5-12. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46071 | - |
dc.description.abstract | Одним из направлений улучшения параметров аналоговых интегральных микросхем
является разработка новых и модернизация существующих конструкций интегральных элементов без
значительного изменения технологического маршрута изготовления интегральных микросхем
с одновременным созданием моделей новых интегральных элементов. В статье рассмотрены результаты
экспериментальных исследований двухзатворного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом,
изготовленного по технологическому маршруту 3CBiT ОАО «Интеграл». На основе полученных
результатов предложена электрическая модель двухзатворного полевого транзистора с управляющим
p-n-переходом, описывающая особенности его применения в аналоговых интегральных микросхемах.
Приведено сравнение результатов измерений и моделирования вольтамперных характеристик
с использованием созданной модели при разных режимах управления затворами. Малая емкость
и обратный ток верхнего затвора двухзатворного полевого транзистора с управляющим p-n-переходом,
возможность компенсации постоянной составляющей входного тока обеспечивают значительное
улучшение характеристик таких аналоговых интегральных микросхем, как электрометрические
операционные усилители и зарядочувствительные усилители. Разработанный двухзатворный полевой
транзистор с управляющим p-n-переходом может найти применение в устройствах считывания сигналов,
необходимых в аналоговых интерфейсах датчиков космического приборостроения и ядерной
Электроники. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
dc.subject | двухзатворные транзисторы | ru_RU |
dc.subject | электрометрические усилители | ru_RU |
dc.subject | зарядочувствительные усилители | ru_RU |
dc.subject | double gate transistor | ru_RU |
dc.subject | electrometric amplifier | ru_RU |
dc.subject | charge-sensitive amplifier | ru_RU |
dc.title | Экспериментальные исследования и модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | ru_RU |
dc.title.alternative | Experimental studies and a double gate JFET model for analog integrated circuits | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
local.description.annotation | One of directions of improving parameters of analog integrated circuits is a development of new and
modernization of existing designs of integrated elements without significantly changing of a technological route
of integrated circuit manufacturing with a simultaneous creation of new integrated elements models. The article
considers the results of experimental studies of the double gate junction field-effect transistor manufactured
according to the 3CBiT technological route of JSC Integral. Based on the obtained results, the electrical model
of double gate junction field-effect transistor is proposed, which describes the features of its application in
analog integrated circuits. Comparison of I-V characteristics of measurements results and created model
simulation are presented. A small capacity and a reverse current of a double gate junction field-effect transistor
top gate, an ability to compensate for the DC (direct current) component of an input current provide a significant
improvement in the characteristics of analog integrated circuits such as electrometric operational amplifiers and
charge-sensitive amplifiers. The developed double gate junction field-effect transistor can be used in signal
readout devices required in the analog interfaces of space instrument sensors and nuclear electronics. | - |
Appears in Collections: | № 19(7)
|