| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Шапошников, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Štich, I. | - |
| dc.contributor.author | Krivosheeva, A. V. | - |
| dc.contributor.author | Shaposhnikov, V. L. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-01-04T08:06:35Z | - |
| dc.date.available | 2022-01-04T08:06:35Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Кривошеева, А. В. Влияние сжимающих и растягивающих напряжений на электронную структуру фосфорена / А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, I. Štich // Физика твердого тела. – 2021. – Т. 63, № 10. – С. 1663–1667. – DOI : 10.21883/FTT.2021.10.51458.110. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46533 | - |
| dc.description.abstract | С помощью методов теоретического моделирования проведено исследование нового перспективного полупроводникового материала – фосфорена – и определены возможности изменения величины и характераего межзонных переходов при воздействии на кристаллическую решетку этого материала сжимающих и растягивающих напряжений. Установлено, что в зависимости от величины и направления воздействия напряжений материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником. Показана возможность применения фосфорена в наноэлектронных приборах нового поколения с управляемым направлением движения носителей заряда. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | фосфорен | ru_RU |
| dc.subject | монослой | ru_RU |
| dc.subject | зонная структура | ru_RU |
| dc.subject | ширина запрещенной зоны | ru_RU |
| dc.title | Влияние сжимающих и растягивающих напряжений на электронную структуру фосфорена | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
