https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46535| Title: | Влияние деформаций решетки на электронную структуру монослоя дисульфида молибдена |
| Authors: | Кривошеева, А. В. Шапошников, В. Л. Борисенко, В. Е. Krivosheeva, A. V. Shaposhnikov, V. L. Borisenko, V. E. |
| Keywords: | публикации ученых;дисульфид молибдена;монослои;зонная структура;ширина запрещенной зоны;molybdenum disulfide;monolayers;band structure;band gap |
| Issue Date: | 2021 |
| Publisher: | Издательский дом «Белорусская наука» |
| Citation: | Кривошеева, А. В. Влияние деформаций решетки на электронную структуру монослоя дисульфида молибдена / А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, В. Е. Борисенко // Доклады Национальной академии наук Беларуси. – 2021. – Т. 65, № 1. – С. 40–45. – DOI : https://doi.org/10.29235/1561-8323-2021-65-1-40-45. |
| Abstract: | Методами теоретического моделирования определены возможности и условия модификации ширины запрещенной зоны и характера межзонных переходов при воздействии сжимающих и растягивающих напряжений на кристаллическую решетку дисульфида молибдена мономолекулярной толщины. Показано, что в зависимости от направления и величины возникающей деформации решетки материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником, и определены условия таких трансформаций. Результаты свидетельствуют о потенциальной возможности применения монослоев дисульфида молибдена в наноэлектронных приборах нового поколения с управляемым направлением движения носителей заряда. |
| Alternative abstract: | The possibilities and conditions for modifying the band gap and the behavior of interband transitions under compressive and tensile strains in the crystal lattice of a molybdenum disulfide monolayer have been determined by theoretical modeling. It is shown that depending on the value and direction of the strains the compound may be a direct-gap or indirect-gap semiconductor, and the conditions for such transformations are determined. The results demonstrate a potential use of the molybdenum disulfide monolayer in nanoelectronic devices of new generation in which controlled transport of charge carriers is possible. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46535 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Krivosheyeva_Vliyaniye2.pdf | 1.54 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.