| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Емельянов, В. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-03-10T09:06:18Z | - |
| dc.date.available | 2022-03-10T09:06:18Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Емельянов, В. В. Формирование функциональных слоев нитрида кремния селективным плазмохимическим травлением / Емельянов В. В. // Доклады БГУИР. – 2022. – Т. 20, № 1. – С. 48–54. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-1-48-54. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46757 | - |
| dc.description.abstract | В настоящее время с развитием нанотехнологий плазмохимическое травление остается
практически единственным инструментом для переноса рисунка интегральной схемы в маскирующем
слое в материал подложки благодаря тому, что точность переноса рисунка соизмерима с размером ионов
травящих газов. Требования к плазменной технологии: допустимые дефекты, селективность
(избирательность к материалу), управление шириной линии, однородность травления становятся все
более жесткими и, как следствие, более сложными в реализации. Для повышения скорости и
селективности плазмохимического травления пленок нитрида кремния при обработке в плазме газовой
смеси, состоящей и фторсодержащего газа и кислорода, в качестве фторсодержащего газа использован
гексафторид серы с концентрацией 70–91 об.% при концентрации кислорода 9–30 об.%. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | нитрид кремния | ru_RU |
| dc.subject | плазмохимическое травление | ru_RU |
| dc.subject | газовые смеси | ru_RU |
| dc.subject | silicon nitride | ru_RU |
| dc.subject | plasma-chemical etching | ru_RU |
| dc.subject | gas mixture | ru_RU |
| dc.title | Формирование функциональных слоев нитрида кремния селективным плазмохимическим травлением | ru_RU |
| dc.title.alternative | Formation of Functional Silicon Nitride Layers by Selective Plasmochemical Etching | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | At present, with the development of nanotechnology, plasma-chemical etching remains practically the
only tool for transferring an integrated circuit pattern in a masking layer to a substrate material due to the fact
that the pattern transfer accuracy is comparable to the size of etching gas ions. Requirements for plasma
technology: permissible defects, selectivity (material selectivity), line width control, etching uniformity are
becoming more stringent and, as a consequence, more difficult to implement. To increase the rate and selectivity
of plasma-chemical etching of silicon nitride films during plasma processing of a gas mixture consisting of both a fluorine-containing gas and oxygen, sulfur hexafluoride with a concentration of 70–91 vol.% was used as
a fluorine-containing gas with an oxygen concentration of 9–30 vol.%. | - |
| Appears in Collections: | № 20(1)
|
