| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Муравьев, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-04-07T13:00:23Z | - |
| dc.date.available | 2022-04-07T13:00:23Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Муравьев, В. В. Эффекты рассеяния электронов в гексогональном нитриде бора / Муравьев В. В., Мищенко В. Н. // Доклады БГУИР. – 2022. – Т. 20, № 2. – С. 5–12. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-2-5-12. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46795 | - |
| dc.description.abstract | Выполнено исследование эффектов рассеяния электронов в объемном гексогональном нитриде бора (h-BN). В настоящее время материал h-BN, совместно с графеном, считается одним из наиболее перспективных материалов для формирования новых полупроводниковых приборов с хорошими характеристиками для диапазонов СВЧ и КВЧ. Рассмотрены основные электрофизические параметры и характеристики h-BN. Для исследования свойств этого материала использована трехдолинная К-М-Г зонная структура. Отмечено, что долина К характеризуется наименьшим энергетическим зазором между зоной проводимости и валентной зоной. Выполнен расчет величин эффективных масс электронов и коэффициентов непараболичности для долин К, М и Г. Представлены формулы, которые позволяют выполнить моделирование основных интенсивностей рассеяния электронов в h-BN. Рассмотрены и проанализированы полученные интенсивности рассеяния электронов в зависимости от энергии и температуры. Опираясь на полученные характеристики, становится возможной реализация статистического многочастичного метода Монте – Карло для определения характеристик переноса электронов в гетероструктурных полупроводниковых приборах, содержащих слои h-BN. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | нитриды бора | ru_RU |
| dc.subject | гексогональные нитриды | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые структуры | ru_RU |
| dc.subject | графены | ru_RU |
| dc.subject | метод Монте-Карло | ru_RU |
| dc.subject | hexogonal boron nitride | ru_RU |
| dc.subject | semiconductor structure | ru_RU |
| dc.subject | scattering intensity | ru_RU |
| dc.subject | graphene | ru_RU |
| dc.subject | Monte Carlo method | ru_RU |
| dc.title | Эффекты рассеяния электронов в гексогональном нитриде бора | ru_RU |
| dc.title.alternative | Effects of Electron Scattering in Boron Hexogonal Nitride | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Investigation the effects of electron scattering in boron hexogonal nitride (h-BN) was performed. At present, material h-BN, together with graphene, is considered to be one of the most promising materials for the formation of new semiconductor devices with good characteristics for the ranges of ultrahigh and extreme high frequency bands. The main electrophysical parameters and characteristics of h-BN was considered. For this material the three valley K-M-Г band structure has been used. It is noted that the K valley has the smallest energy gap between the conductivity zone and the valence zone. Calculation of relative electron masses and parabolicity
coefficients in K, M and G valleys was performed. Formulas that allow to model the main electron scattering
intensities in h-BN were presented. The obtained electron scattering intensities as a function of energy and
temperature were considered and analyzed. Based on the obtained characteristics, it was possible to implement a statistical multi-particle Monte Carlo method to determine the characteristics of electron transfer in the heterostructure of a semiconductor devices containing layers of hexogonal boron nitride. | - |
| Appears in Collections: | № 20(2)
|
