Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47114
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorОсмоловская, Т. Н.-
dc.date.accessioned2022-05-25T12:19:42Z-
dc.date.available2022-05-25T12:19:42Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationОсмоловская, Т. Н. Выбор материалов гибких подложек для формирования тонких пленок Cu2NiSn(Se,S)4 / Т. Н. Осмоловская // Электронные системы и технологии [Электронный ресурс] : сборник материалов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 18-22 апреля 2022 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2022. – С. 43–46. – Режим доступа : https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46926.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47114-
dc.description.abstractПроведён литературный анализ ряда материалов, применимых в качестве гибких подложек для формирования Cu2NiSn(Se,S)4. Показано, что важнейшими параметрами являются шероховатость поверхности, температурный коэффициент линейного расширения, максимальная температура подложки и процесс последующего внедрения натрия. A literature analysis of a number of materials used as flexible substrates for the formation of Cu2 NiSn(Se,S)4 has been carried out. It is shown that the primary parameters are surface roughness, temperature coefficient of linear expansion, elevated substrate temperature, and sodium detection process.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectтемпературный коэффициентru_RU
dc.subjectлинейное расширениеru_RU
dc.subjectполупроводниковые материалыru_RU
dc.subjectгибкие подложкиru_RU
dc.subjecttemperature coefficientru_RU
dc.subjectlinear expansionru_RU
dc.subjectsemiconductor materialsru_RU
dc.subjectflexible substratesru_RU
dc.titleВыбор материалов гибких подложек для формирования тонких пленок Cu2NiSn(Se,S)4ru_RU
dc.title.alternativeAnalysis of materials for flexible substrates for the formation of thin Cu2NiSn(Se,S)4 filmsru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 58-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Osmolovskaya_Vybor.pdf218.84 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.