DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Сыс, А. Д. | - |
dc.date.accessioned | 2022-06-01T11:38:52Z | - |
dc.date.available | 2022-06-01T11:38:52Z | - |
dc.date.issued | 2022 | - |
dc.identifier.citation | Сыс, А. Д. Конструктивно-технологические особенности мощных транзисторов и их электротепловая модель / А. Д. Сыс // Электронные системы и технологии [Электронный ресурс] : сборник материалов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 18-22 апреля 2022 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2022. – С. 337–339. – Режим доступа : https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46926. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47187 | - |
dc.description.abstract | Рассмотрены структуры и конструктивно-технологические особенности полупроводниковых полевых транзисторов MOSFET и их электротепловая модель. Предложены оптимальные варианты конструктивно технологического исполнения MOSFET и способы монтажа кристаллов в корпус, обеспечивающие стабильность и воспроизводимость параметров изделий. The structures and design and technological features of MOSFET semiconductor field-effect transistors and their electrothermal model are considered. Optimal options for the structural and technological design of MOSFETs and methods for mounting crystals in a package are proposed, which ensure the stability and reproducibility of product parameters. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
dc.subject | мощные транзисторы | ru_RU |
dc.subject | МОП-структуры | ru_RU |
dc.subject | электротепловые модели | ru_RU |
dc.subject | power transistor | ru_RU |
dc.subject | MOS | ru_RU |
dc.subject | VMOS | ru_RU |
dc.subject | MOSFET | ru_RU |
dc.subject | electrothermal model | ru_RU |
dc.title | Конструктивно-технологические особенности мощных транзисторов и их электротепловая модель | ru_RU |
dc.title.alternative | Structural and technological features of powerful transistors and their electric thermal model | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 58-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)
|