Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47187
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСыс, А. Д.-
dc.date.accessioned2022-06-01T11:38:52Z-
dc.date.available2022-06-01T11:38:52Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationСыс, А. Д. Конструктивно-технологические особенности мощных транзисторов и их электротепловая модель / А. Д. Сыс // Электронные системы и технологии [Электронный ресурс] : сборник материалов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 18-22 апреля 2022 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2022. – С. 337–339. – Режим доступа : https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46926.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47187-
dc.description.abstractРассмотрены структуры и конструктивно-технологические особенности полупроводниковых полевых транзисторов MOSFET и их электротепловая модель. Предложены оптимальные варианты конструктивно технологического исполнения MOSFET и способы монтажа кристаллов в корпус, обеспечивающие стабильность и воспроизводимость параметров изделий. The structures and design and technological features of MOSFET semiconductor field-effect transistors and their electrothermal model are considered. Optimal options for the structural and technological design of MOSFETs and methods for mounting crystals in a package are proposed, which ensure the stability and reproducibility of product parameters.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectмощные транзисторыru_RU
dc.subjectМОП-структурыru_RU
dc.subjectэлектротепловые моделиru_RU
dc.subjectpower transistorru_RU
dc.subjectMOSru_RU
dc.subjectVMOSru_RU
dc.subjectMOSFETru_RU
dc.subjectelectrothermal modelru_RU
dc.titleКонструктивно-технологические особенности мощных транзисторов и их электротепловая модельru_RU
dc.title.alternativeStructural and technological features of powerful transistors and their electric thermal modelru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 58-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Sys_Konstruktivno_tekhnologicheskiye.pdf270.22 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.