Болометрические характеристики пленок оксида ванадия при легировании вольфрамом

Abstract

Проведены исследования влияния параметров процесса распыления и степени легирования вольфрамом на электрофизические характеристики пленок оксида ванадия, формируемых методом реактивного магнетронного распыления V-W мозаичной мишени. Получены зависимости удельного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления (ТКС) от концентрации Wв мишени и концентрации кислорода в Ar/O2 смеси газов процессе нанесения. Установлено, что при добавках вольфрама характер зависимости не изменялся, но характеристики смещались в сторону больших концентраций кислорода. При увеличении количества W вставок с 0 до 2 максимум удельного сопротивления пленок смещался с 16.7 % до 22.4 % O2. Однако формирование пленок с высоким ТКС наблюдалось в более узком диапазоне концентраций кислорода от 20–30 %. The influence of the parameters of the sputtering process and the degree of doping with tungsten on the electrical characteristics of vanadium oxide films formed by reactive magnetron sputtering of a V-W mosaic target has been studied. The dependences of the resistivity and temperature coefficient of resistance (TCC) on the concentration W in the target and the concentration of oxygen in the Ar/O2 gas mixture during deposition were obtained. It was found that with the addition of tungsten, the nature of the dependence did not change, but the characteristics shifted towards higher oxygen concentrations. With an increase in the number W of inserts from 0 to 2, the maximum resistivity of the films shifted from 16.7% to 22.4% O2. However, the formation of films with a high TCR was observed in a narrower range of oxygen concentrations from 20 –30%.