Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/4744
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСицко, И. А.-
dc.date.accessioned2015-08-26T12:10:42Z
dc.date.accessioned2017-07-20T12:14:11Z-
dc.date.available2015-08-26T12:10:42Z
dc.date.available2017-07-20T12:14:11Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationСицко, И. А. Физико-химическая модель процессов переключения и памяти в тонкопленочных структурах на основе теллура : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1-41 80 01 / И. А. Сицко ; науч. рук. Б. С. Колосницын.- Мн.: БГУИР, 2015. - 7 с.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/4744-
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectавторефераты диссертацийru_RU
dc.subjectзапоминающие устройстваru_RU
dc.subjectтеллурru_RU
dc.titleФизико-химическая модель процессов переключения и памяти в тонкопленочных структурах на основе теллураru_RU
dc.typeAbstract of the thesisru_RU
Appears in Collections:1-41 80 01 Микро- и наноэлектроника

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Автореферат.pdf416.82 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.