DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Сицко, И. А. | - |
dc.date.accessioned | 2015-08-26T12:10:42Z | |
dc.date.accessioned | 2017-07-20T12:14:11Z | - |
dc.date.available | 2015-08-26T12:10:42Z | |
dc.date.available | 2017-07-20T12:14:11Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.citation | Сицко, И. А. Физико-химическая модель процессов переключения и памяти в тонкопленочных структурах на основе теллура : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1-41 80 01 / И. А. Сицко ; науч. рук. Б. С. Колосницын.- Мн.: БГУИР, 2015. - 7 с. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/4744 | - |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
dc.subject | запоминающие устройства | ru_RU |
dc.subject | теллур | ru_RU |
dc.title | Физико-химическая модель процессов переключения и памяти в тонкопленочных структурах на основе теллура | ru_RU |
dc.type | Abstract of the thesis | ru_RU |
Appears in Collections: | 1-41 80 01 Микро- и наноэлектроника
|