Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47511
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГалкин, Я. Д.-
dc.contributor.authorДворников, О. В.-
dc.contributor.authorЧеховский, В. А.-
dc.date.accessioned2022-06-21T07:38:44Z-
dc.date.available2022-06-21T07:38:44Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationГалкин, Я. Д. Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем / Я. Д. Галкин, О. В. Дворников , В. А. Чеховский // Доклады БГУИР. – 2022. – Т. 20, № 3. – С. 20–25. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-3-20-25.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47511-
dc.description.abstractДвухзатворные полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом часто применяются в аналоговых интегральных микросхемах для обеспечения предельно малого входного тока и емкости при управлении верхним затвором. Схемотехнический синтез и моделирование аналоговых микросхем с таким полевым транзистором возможны только при наличии моделей, адекватно описывающих особенности его работы, а именно – изменение вольт-амперных характеристик, управляя верхним затвором при подаче постоянного обратного напряжения на нижний затвор. В статье рассмотрена модернизация известной электрической модели двухзатворного полевого транзистора для программы LTSpice, заключающаяся в учете влияния напряжения на нижнем затворе путем включения в цепь верхнего затвора двух последовательно соединенных функциональных источников напряжения, один из которых обеспечивает совпадение результатов измерений и моделирования тока стока при малом напряжении между верхним затвором и истоком, а второй – при напряжении между верхним затвором и истоком, близком к напряжению отсечки. Приведена методика идентификации параметров функциональных источников напряжения. Предложенную модель двухзатворного полевого транзистора целесообразно использовать при схемотехническом проектировании различных аналоговых устройств, особенно электрометрических операционных усилителей и зарядочувствительных усилителей.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectдвухзатворные транзисторыru_RU
dc.subjectэлектрические моделиru_RU
dc.subjectвольт-амперные характеристикиru_RU
dc.titleУлучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхемru_RU
dc.title.alternativeDouble Gate JFET Improved Model for Analog Integrated Circuitsru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:№ 20(3)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Galkin_Uluchshennaya.pdf1.12 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.