DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Галкин, Я. Д. | - |
dc.contributor.author | Дворников, О. В. | - |
dc.contributor.author | Чеховский, В. А. | - |
dc.date.accessioned | 2022-06-21T07:38:44Z | - |
dc.date.available | 2022-06-21T07:38:44Z | - |
dc.date.issued | 2022 | - |
dc.identifier.citation | Галкин, Я. Д. Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем / Я. Д. Галкин, О. В. Дворников , В. А. Чеховский // Доклады БГУИР. – 2022. – Т. 20, № 3. – С. 20–25. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-3-20-25. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47511 | - |
dc.description.abstract | Двухзатворные полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом часто применяются
в аналоговых интегральных микросхемах для обеспечения предельно малого входного тока и емкости
при управлении верхним затвором. Схемотехнический синтез и моделирование аналоговых микросхем
с таким полевым транзистором возможны только при наличии моделей, адекватно описывающих
особенности его работы, а именно – изменение вольт-амперных характеристик, управляя верхним
затвором при подаче постоянного обратного напряжения на нижний затвор. В статье рассмотрена
модернизация известной электрической модели двухзатворного полевого транзистора для программы
LTSpice, заключающаяся в учете влияния напряжения на нижнем затворе путем включения в цепь
верхнего затвора двух последовательно соединенных функциональных источников напряжения, один из
которых обеспечивает совпадение результатов измерений и моделирования тока стока при малом
напряжении между верхним затвором и истоком, а второй – при напряжении между верхним затвором и
истоком, близком к напряжению отсечки. Приведена методика идентификации параметров
функциональных источников напряжения. Предложенную модель двухзатворного полевого транзистора
целесообразно использовать при схемотехническом проектировании различных аналоговых устройств,
особенно электрометрических операционных усилителей и зарядочувствительных усилителей. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
dc.subject | двухзатворные транзисторы | ru_RU |
dc.subject | электрические модели | ru_RU |
dc.subject | вольт-амперные характеристики | ru_RU |
dc.title | Улучшенная модель двухзатворного JFET для аналоговых интегральных микросхем | ru_RU |
dc.title.alternative | Double Gate JFET Improved Model for Analog Integrated Circuits | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
Appears in Collections: | № 20(3)
|