| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Гребнев, В. П. | - |
| dc.contributor.author | Чубенко, Е. Б. | - |
| dc.contributor.author | Бондаренко, В. П. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | - |
| dc.date.accessioned | 2022-08-09T06:52:09Z | - |
| dc.date.available | 2022-08-09T06:52:09Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Гребнев, В. П. Формирование и свойства композитных гетеросистем на основе макропористого кремния, графитоподобного нитрида углерода и полупроводниковых соединений = Formation and Properties of Heterosystems Based on Porous Silicon, Graphitic Carbon Nitride and Semiconductor Compounds / Гребнев В. П., Чубенко Е. Б., Бондаренко В. П. // Доклады БГУИР. – 2022. – Т. 20, № 4. – С. 53–61. – DOI : https://doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-4-53-61. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/47780 | - |
| dc.description.abstract | Показана возможность пиролитического синтеза композитных гетеросистем на основе макропористого кремния, графитоподобного нитрида углерода и широкозонных полупроводников оксида и сульфида цинка (g-C3N4/ZnO/ZnS) из механической смеси тиомочевины и ацетата цинка при температуре 500 – 600 °C. Исследование полученных материалов методами сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии показало равномерное заполнение макропористого кремния композитом g-C3N4/ZnO/ZnS с образованием сплошной композитной пленки на поверхности. Фотолюминесценция образцов контролируется температурой синтеза. Ее увеличение приводит к сдвигу максимума свечения в диапазон больших энергий с 544 на 516 нм. Установлено, что фотокаталитическая активность композитных гетеросистем, полученных при меньшей температуре, выше, что обусловлено более развитой морфологией поверхности и меньшей шириной запрещенной зоны. Полученные материалы могут быть использованы для создания фотокаталитических покрытий и функциональных слоев оптоэлектронных приборов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | графитоподобные нитриды | ru_RU |
| dc.subject | электронная микроскопия | ru_RU |
| dc.subject | фотолюминесценция | ru_RU |
| dc.subject | фотокатализ | ru_RU |
| dc.subject | очистка воды | ru_RU |
| dc.subject | композитные материалы | ru_RU |
| dc.subject | graphitic carbon nitride | ru_RU |
| dc.subject | zinc oxide | ru_RU |
| dc.subject | zinc sulfide | ru_RU |
| dc.subject | macroporous silicon | ru_RU |
| dc.subject | photoluminescence | ru_RU |
| dc.subject | photocatalysis | ru_RU |
| dc.subject | scanning electron microscopy | ru_RU |
| dc.subject | water purification | ru_RU |
| dc.title | Формирование и свойства композитных гетеросистем на основе макропористого кремния, графитоподобного нитрида углерода и полупроводниковых соединений | ru_RU |
| dc.title.alternative | Formation and Properties of Heterosystems Based on Porous Silicon, Graphitic Carbon Nitride and Semiconductor Compounds | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The possibility of pyrolytic synthesis of composite heterosystems based on macroporous silicon, graphitic carbon nitride and wide band semiconductors zinc oxide and zinc sulfide (g-C3N4/ZnO/ZnS) from a mechanical mixture of thiourea and zinc acetate at 500 – 600 °C was shown. The obtained material study
by scanning electron microscopy and energy dispersive X-ray spectroscopy showed a uniform filling
of macroporous silicon with the composite g-C3N4/ZnO/ZnS with the formation of a continuous composite film
on the surface. The photoluminescence of the samples was controlled by the synthesis temperature. Increase of photoluminescence leads to shift of luminescence maximum in high energy range from 544 to 516 nm. It was
found that photocatalytic activity of composite heterosystems obtained at a lower temperature is higher due to more developed surface morphology and smaller bandgap width. The materials obtained can be used to create photocatalytic coatings and functional layers of optoelectronic devices. | - |
| Appears in Collections: | № 20(4)
|
