| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Чан, Туан Чунг | - |
| dc.date.accessioned | 2015-09-10T13:34:31Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-20T08:35:41Z | - |
| dc.date.available | 2015-09-10T13:34:31Z | |
| dc.date.available | 2017-07-20T08:35:41Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Чан, Туан Чунг. Приборно-технологическое моделирование МОП-транзисторов в процессе иерархического проектирования интегральных микросхем: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Т.А. Чунг; науч. рук. Стемпицкий В. Р. - Мн.: БГУИР, 2015. - 23 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/4784 | - |
| dc.description.abstract | Цель работы разработка и апробация методов и алгоритмов
оптимизации режимов и адаптации параметров моделей технологических
операций и электрических характеристик МОП-транзисторов для расширения
возможностей стандартных программных комплексов проектирования
интегральных микросхем, в частности, моделирования электрических
характеристик приборов с нанометровыми проектными нормами. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
| dc.subject | интегральная микросхема | ru_RU |
| dc.subject | иерархическое проектирование | ru_RU |
| dc.subject | статистический разброс | ru_RU |
| dc.subject | integrated circuit | ru_RU |
| dc.subject | hierarchical design | ru_RU |
| dc.subject | the statistical spread | ru_RU |
| dc.title | Приборно-технологическое моделирование МОП-транзисторов в процессе иерархического проектирования интегральных микросхем | ru_RU |
| dc.title.alternative | Device-technological simulation of MOS transistors in the hierarchical design of Integrated Circuits | ru_RU |
| dc.type | Abstract of the thesis | ru_RU |
| local.description.annotation | Objective: development and testing of methods and algorithms for оptimization and adaptation of the model parameters of technological operations and electrical characteristics of the MOS transistors to enhance the capacity of standard software systems for of integrated circuits design, in particular, the simulation of electrical characteristics of devices with nanometer design rules. | - |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
