| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Гога, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Позняк, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Завадский, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Голосов, Д. А. | - |
| dc.contributor.author | Плиговка, А. Н. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | - |
| dc.date.accessioned | 2022-09-13T08:56:29Z | - |
| dc.date.available | 2022-09-13T08:56:29Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Анодная композиционная наноструктура: формирование, морфология, оптические и фотолюминесцентные свойства = Anodic Composite Nanostructure: Formation, Morphology, Optical and Photoluminescent Properties / Гога А. В. [и др.] // Доклады БГУИР. – 2022. – Т. 20, № 5. – С. 40–47. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-5-40-47. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48064 | - |
| dc.description.abstract | Двухслойная система Al/Nb (1000/200 нм) на кремниевой подложке была проанодирована
в 0,2 М водном растворе щавелевой кислоты при постоянном напряжении 53 В. После завершения
этапа анодирования алюминия производили замену электролита на 0,5 М водный раствор борной
кислоты и затем реанодировали подслой ниобия до напряжения 400 В. Для создания анодной
композиционной наноструктуры проводили удаление большей части анодного оксида алюминия
методом химического травления в течение 1200 с в 50 % растворе ортофосфорной кислоты при
температуре 50 °С. Исследована морфология, фотолюминесценция, оптическое отражение анодной
композиционной наноструктуры. Анодная композиционная наноструктура показала эффективное
оптическое отражение в диапазоне длин волн от 540 до 1000 нм, а максимальная отражающая
эффективность наблюдалась на длине волны 850 нм и составляет 52 %. Пик фотолюминесценции
наблюдался на длине волны 453 нм. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | высокое аспектное соотношение | ru_RU |
| dc.subject | наноструктурирование | ru_RU |
| dc.subject | ширина запрещенной зоны | ru_RU |
| dc.subject | high aspect ratio | ru_RU |
| dc.subject | nanostructuring | ru_RU |
| dc.subject | bandgap | ru_RU |
| dc.title | Анодная композиционная наноструктура: формирование, морфология, оптические и фотолюминесцентные свойства | ru_RU |
| dc.title.alternative | Anodic Composite Nanostructure: Formation, Morphology, Optical and Photoluminescent Properties | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Two-layer Al/Nb (1000/200 nm) was deposited by sputtering using a DC magnetron method
on Si wafers. The anodizing was in 0.2 M oxalic solution at 53 V, re-anodized in the 0.5 M boric acid
in potentiodynamic mode at increase of potential until 400 V. For forming anodic composite nanostructure,
the porous anodic aluminum oxide was partially removed in 50 % aqueous solution of phosphoric acid at 50°C
for 1200 s. The morphology, photoluminescence, and optical reflection of an anodic composite nanostructure were
investigated. The anodic composite nanostructure showed effective optical reflection in the wavelength range
from 540 to 1000 nm, and the maximum reflective efficiency was observed at a wavelength of 850 nm,
52 % reflectance occurs. The photoluminescence maximum was observed at a wavelength of 453 nm. | - |
| Appears in Collections: | № 20(5)
|
