| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Буй, К. Д. | - |
| dc.contributor.author | Фам, В. Т. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | - |
| dc.date.accessioned | 2022-09-26T06:48:04Z | - |
| dc.date.available | 2022-09-26T06:48:04Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Буй, К. Д. Влияния концентрации меламина на оптические свойства синтезированных CVD-подобным методом тонких пленок графитоподобного нитрида углерода = Influence of melamine concentration on optical properites of the graphitic carbon nitride thin films synthesized in CVD-like process / Буй К. Д., Фам В. Т. // Радиотехника и электроника : сборник тезисов докладов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель 2022 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2022. – С. 24–28. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48197 | - |
| dc.description.abstract | Проведено исследовано влияние массы навески меламина на процесс синтеза тонкой пленки графитоподобного нитрида углерода (g-C3N4) на стеклянных подложках и монокристаллическом кремний методом химического осаждения из паровой фазы в инертной атмосфере аргона с использованием двухзонной печи. Полученный материал исследован методами оптической спектроскопии путем измерения спектров фотолюминесценции, поглощения и пропускания. Методом разложения спектров фотолюминесценции методом Гаусса были выделены отдельные излучательные переходы в g-C3N4. Увеличение их энергии при уменьшении массы навески меламина указывает на изменение положения энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника, вызванное увеличением роли термического разложения в процессе роста пленки g-C3N4. Показано, что оптическая ширина запрещенной зоны уменьшается со снижением массы навески меламина с 2,67 до 2,71 эВ, что обусловлено увеличением степени полимеризации материала. Исследованные закономерности могут быть использованы для разработки технологии изготовления светоизлучающих устройств и фотокаталитических покрытий на основе тонких пленок g-C3N4. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | графитоподобные нитриды углерода | ru_RU |
| dc.subject | фотолюминесценция | ru_RU |
| dc.subject | оптическая спектроскопия | ru_RU |
| dc.subject | тонкие пленки | ru_RU |
| dc.subject | graphitic carbon nitride | ru_RU |
| dc.subject | photoluminescence | ru_RU |
| dc.subject | optical spectroscopy | ru_RU |
| dc.subject | thin films | ru_RU |
| dc.title | Влияния концентрации меламина на оптические свойства синтезированных CVD-подобным методом тонких пленок графитоподобного нитрида углерода | ru_RU |
| dc.title.alternative | Influence of melamine concentration on optical properites of the graphitic carbon nitride thin films synthesized in CVD-like process | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The effect of the weight of the melamine suspension on the synthesis of a thin film of graphitic carbon nitride (g-C3N4) on glass substrates and single-crystal silicon by chemical vapor deposition in an inert argon atmosphere using a two-zone furnace was investigated. The obtained material was studied by optical spectroscopy by measuring the photoluminescence, absorption, and transmission spectra. Individual radiative transitions in g-C3N4 were isolated by the method of decomposition of photoluminescence spectra by the Gaussian
method. An increase in their energy with a decrease in the mass of the melamine sample indicates a change in the position of the energy
levels in the band gap of the semiconductor caused by an increase in the role of thermal decomposition in the growth of the g-C3N4 film. It is shown that the optical band gap decreases with a decrease in the weight of the melamine sample from 2.67 to 2.71 eV, which is due to an
increase in the degree of polymerization of the material. The studied patterns can be used to develop a technology for manufacturing lightemitting devices and photocatalytic coatings based on g-C3N4 thin films. | - |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)
|
