| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Карженевская, В. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Алексеев, А. Ю. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | - |
| dc.date.accessioned | 2022-09-26T08:12:33Z | - |
| dc.date.available | 2022-09-26T08:12:33Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Карженевская, В. Ю. Стабильность тонких плёнок диоксида гафния / Карженевская В. Ю., Алексеев А. Ю. // Радиотехника и электроника : сборник тезисов докладов 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель 2022 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2022. – С. 37–38. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48203 | - |
| dc.description.abstract | В ходе работы исследовались тонкие плёнки диоксида гафния (HfO2) с толщиной до 30 Å, имеющие различные фазы и кристаллографические ориентации. Расчёты производились с целью выявления наиболее стабильной из фаз. Определили, что при толщинах плёнки менее 20 Å наименьшей полной энергией обладают пленки с кубической структурой, а при больших толщинах – с моноклинной структурой. 2D HfO2 с кубической структурой также являются динамически стабильными. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | тонкие пленки | ru_RU |
| dc.subject | диэлектрики | ru_RU |
| dc.title | Стабильность тонких плёнок диоксида гафния | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 58-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2022)
|
