| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Наливайко, О. Ю. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | - |
| dc.date.accessioned | 2022-09-30T07:07:19Z | - |
| dc.date.available | 2022-09-30T07:07:19Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Наливайко, О. Ю. Формирование из газовой фазы функциональных слоев субмикронных структур интегральных микросхем на основе кремния : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / О. Ю. Наливайко ; науч. рук. А. С. Турцевич. – Минск : БГУИР, 2022. – 28 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/48288 | - |
| dc.description.abstract | Целью работы является разработка и исследование комплекса новых
технологических процессов и конструктивно-технологических способов
получения слоёв Si, Si 1-x Ge x , W для субмикронных структур интегральных
микросхем на основе кремния. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
| dc.subject | субмикронные структуры | ru_RU |
| dc.subject | интегральные микросхемы | ru_RU |
| dc.title | Формирование из газовой фазы функциональных слоев субмикронных структур интегральных микросхем на основе кремния | ru_RU |
| dc.type | Thesis | ru_RU |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
