Исследование термической стабильности медных контактных переходов в подложках Si/SiO2

Воробьева, А. И.; Лабунов, В. А.; Уткина, Е. А.; Ходин, А. А.; Сычева, О. А.; Езовитова, Т. И.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49242

Title:	Исследование термической стабильности медных контактных переходов в подложках Si/SiO2
Authors:	Воробьева, А. И. Лабунов, В. А. Уткина, Е. А. Ходин, А. А. Сычева, О. А. Езовитова, Т. И.
Keywords:	публикации ученых;электрохимические осаждения;сканирующая электронная микроскопия
Issue Date:	2022
Publisher:	ФТИАН
Citation:	Исследование термической стабильности медных контактных переходов в подложках Si/SiO2 / Воробьева А. И. [и др.] // Микроэлектроника. – 2022. – Т. 51, № 5. – С. 333–345. – DOI : https://doi.org/10.31857/S054412692205012X.
Abstract:	Представлены результаты комплексного исследования структурно-морфологических и термодинамических характеристик электрохимических осадков Cu в переходных отверстиях с барьерным слоем TiN в подложках Si/SiO2 методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) и дифференциально-термического анализа (ДТА). Установлена область температур, определяющая термостойкость меди (до 750°C) и область температур (до 886°C), определяющая термостойкость композита в целом как способность сохранять химический состав и упорядоченную структуру при повышенной температуре.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49242
Appears in Collections:	Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Vorobeva_Issledovanie.pdf		157.8 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar