| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Шапошников, В. Л. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2022-12-30T08:20:45Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-30T08:20:45Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Кривошеева, А. В. Структура и оптические свойства нитридных полупроводников MgSiN2, MgGeN2, ZnSiN2, ZnGeN2 / А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников // Известия НАН Беларуси. Серия физико-математических наук. – 2022. – Т. 58, № 4. – С. 424–430. – DOI : https://doi.org/10.29235/1561-2430-2022-58-4-424-430. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49643 | - |
| dc.description.abstract | Методом компьютерного моделирования в рамках приближений LDA, GGA и PBE определены электронные зонные структуры нитридных соединений MgSiN2, MgGeN2, ZnSiN2 и ZnGeN2, и рассчитаны их оптические свойства. Установлено, что соединения с германием являются прямозонными полупроводниками с шириной запрещенной зоны 3,0 (MgGeN2) и 1,7 эВ (ZnGeN2), тогда как соединения с кремнием оказываются непрямозонными с величиной энергетического зазора 4,6 (MgSiN2) и 3,7 эВ (ZnSiN2). Анализ оптических свойств показал перспективы использования MgGeN2 и ZnGeN2 в оптоэлектронике. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Белорусская наука | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | зонные структуры | ru_RU |
| dc.subject | диэлектрические функции | ru_RU |
| dc.subject | нитридные полупроводники | ru_RU |
| dc.title | Структура и оптические свойства нитридных полупроводников MgSiN2, MgGeN2, ZnSiN2, ZnGeN2 | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
