| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Юник, А. Д. | - |
| dc.contributor.author | Соловьёв, Я. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-01-17T06:07:54Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-17T06:07:54Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Юник, А. Д. Влияние условий быстрого термического отжига на величину удельного сопротивления омических контактов металлизации Ti/Al/Ni/Au к гетероструктуре GaN/AlGaN= Effect of Rapid Thermal Annealing Conditions on the Specific Resistance of the Ohmic Contacts of Ti/Al/Ni/Au Metallization to the GaN/AlGaN Heterostructure / А. Д. Юник, Я. А. Соловьёв // Доклады БГУИР. – 2022. – Т. 20, № 8. – С. 14-20. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729764820222081420. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49724 | - |
| dc.description.abstract | Измерениями по методу длинной линии установлено влияние условий быстрого термического отжига на величину удельного сопротивления омических контактов металлизации Ti/Al/Ni/Au с толщинами слоев 20/120/40/40 нм к гетероструктуре GaN/AlGaN с двумерным электронным газом на сапфировой подложке. Быстрый термический отжиг образцов проводили контактным нагревом со стороны сапфировой подложки в среде азота при температуре в диапазоне от 750 до 1000 °C в течение 30, 60 и 90 с. Установлено, что зависимость удельного контактного сопротивления от температуры содержит два температурных оптимума, при которых удельное контактное сопротивление омического контакта составляет менее 1 ⋅ 10 -4 Ом⋅см 2 . Возникновение первого температурного оптимума обусловлено уменьшением расстояния от фронта диффузии низкоомного слоя интерметаллидов, образующегося при быстром термическом отжиге металлизации Ti/Al/Ni/Au, до области двумерного электронного газа. За пределами первого температурного оптимума наблюдается рост удельного контактного сопротивления до 9 ⋅ 10 -3 Ом⋅см 2 , обусловленный поглощением слоя AlGaN низкоомным слоем интерметаллидов, что приводит к деградации двумерного электронного газа под контактами и ухудшению его проводящих свойств. Второй температурный оптимум обусловлен прохождением фронта диффузии области двумерного электронного газа и установлением бокового контакта между низкоомным слоем интерметаллидов и двумерным электронным газом, что приводит к уменьшению удельного контактного сопротивления. При увеличении времени быстрого термического отжига от 30 до 90 с наблюдается смещение интервала первого температурного оптимума с 800 до 775 °C для нижней границы и с 825 до 800 °C для верхней, а второго температурного оптимума - с 875 до 850 °C для нижней границы и с 950 до 875 °C для верхней, что обусловлено эквивалентным увеличением глубины диффузии компонентов металлизации Ti/Al/Ni/Au. Полученные результаты могут быть использованы в технологии создания изделий на основе GaN с двумерным электронным газом. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.title | Влияние условий быстрого термического отжига на величину удельного сопротивления омических контактов металлизации Ti/Al/Ni/Au к гетероструктуре GaN/AlGaN | ru_RU |
| dc.title.alternative | Effect of Rapid Thermal Annealing Conditions on the Specific Resistance of the Ohmic Contacts of Ti/Al/Ni/Au Metallization to the GaN/AlGaN Heterostructure | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Effect of rapid thermal annealing conditions on the specific resistance of the ohmic contacts
of Ti/Al/Ni/Au metallization with layer thicknesses of 20/120/40/40 nm to the GaN/AlGaN heterostructure with
a two-dimensional electron gas on a sapphire substrate has been discovered by transmission line measurement.
Rapid thermal annealing of the samples was carried out by the contact heating from the sapphire substrate side
in a nitrogen atmosphere at the temperature range from 750 to 1000 °C for 30, 60, and 90 s. It has been discovered
that the dependence of the specific contact resistance on the temperature contains two temperature optimums,
at which the specific contact resistance of the ohmic contact is less than 1 ⋅ 10 -4 Ohm⋅cm 2 . The appearance of the
first temperature optimum is due to the decrease of the distance from the diffusion front of the low -resistance layer
of intermetallic compounds formed during the rapid thermal annealing of the Ti/Al/Ni/Au metallization to the
region of the two-dimensional electron gas. Outside the first temperature optimum, an increase in the specific
contact resistance of up to 9 ⋅ 10 -3 Ohm⋅cm 2 is observed, due to the absorption of the AlGaN layer by a low-resistance
layer of intermetallic compounds, which leads to the degradation of the two-dimensional electron gas under the
contacts and deterioration of its conductive properties. The second temperature optimum is due to the passage
of the diffusion front of the two dimensional electron gas region and the establishment of a side contact between
the low-resistance intermetallic layer and the two-dimensional electron gas, which leads to the decrease in the specific
contact resistance. With an increase in the fast thermal annealing time from 30 to 90 s the shift of the interval
of the first temperature optimum from 800 to 775 °C for the lower boundary and from 825 to 800 °C for the upper
boundary, and for the second temperature optimum from 875 to 850 °C for the lower boundary, and from 950
to 875 °C for the upper boundary is observed, which is due to an equivalent increase in the diffusion depth of the
Ti/Al/Ni/Au metallization components. The results obtained can be used in the technology for creating GaN-based
products with a two-dimensional electron gas. | ru_RU |
| Appears in Collections: | № 20(8)
|
