Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49926
Title: Система для роста монокристаллов соединений группы A1IN5S8, IN2S3 и твердых растворов на их основе (A1IN5S8)1-x – (IN2S3)x
Other Titles: Пат. 12551 U Респ. Беларусь
Authors: Боднарь, И. В.
Фещенко, А. А.
Хорошко, В. В.
Keywords: патенты;монокристаллы;выращивание кристаллов
Issue Date: 2021
Publisher: Национальный центр интеллектуальной собственности
Citation: Система для роста монокристаллов соединений группы A1IN5S8, IN2S3 и твердых растворов на их основе (A1IN5S8)1-x – (IN2S3)x : пат. 12551 U Респ. Беларусь : МПК (2006) C 30B 11/04 / Боднарь И. В., Фещенко А. А., Хорошко В. В. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № u 20200223 ; заявл. 11.09.2020 ; опубл. 28.02.2021. – 3 с.
Abstract: Полезная модель относится к области выращивания кристаллов из расплава методом Бриджмена, вертикальный вариант, в частности к системам их получения, и может быть использована для роста крупноблочных полупроводниковых монокристаллов с определенными физическо-химическими свойствами, на основе которых будут созданы приборы с новыми функциональными возможностями.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49926
Appears in Collections:Полезные модели

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Pat_12551.pdf386.87 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.