| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Муравьев, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Павлючик, А. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-02-08T12:04:40Z | - |
| dc.date.available | 2023-02-08T12:04:40Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Полевой транзистор с использованием графена и гексогонального нитрида бора : пат. 12637 U Респ. Беларусь : МПК (2006) H 01L 29/786, B 82B 1/00 / Мищенко В. Н., Муравьев В. В., Павлючик А. А. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № u 20200286 ; заявл. 03.12.2020 ; опубл. 30.06.2021. – 3 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49927 | - |
| dc.description.abstract | Полезная модель относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к транзисторам - полупроводниковым приборам с использованием графена и гексогонального нитрида бора, реализующим эффект управления электрическим током, который протекает через прибор посредством внешнего напряжения, и может быть использована в качестве усилительного и коммутирующего устройства в области диапазонов СВЧ и КВЧ. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Национальный центр интеллектуальной собственности | ru_RU |
| dc.subject | патенты | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | ru_RU |
| dc.subject | полевые транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | транзисторы | ru_RU |
| dc.title | Полевой транзистор с использованием графена и гексогонального нитрида бора | ru_RU |
| dc.title.alternative | Пат. 12637 U Респ. Беларусь | ru_RU |
| dc.type | Other | ru_RU |
| Appears in Collections: | Полезные модели
|
