| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Боднарь, И. В. | - |
| dc.contributor.author | Ящук, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Павловский, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Яблонский, Г. П. | - |
| dc.coverage.spatial | Москва | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-02-20T11:46:05Z | - |
| dc.date.available | 2023-02-20T11:46:05Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu2ZnGeS4 = Growth, crystal structure and temperature dependence of the band gap of Cu2ZnGeS4 single crystals / И. В. Боднарь [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2022. – Т. 56, № 5. – P. 498–501. – DOI : 10.21883/FTP.2022.05.52353.9801. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/50126 | - |
| dc.description.abstract | Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu2ZnGeS4. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10−320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | монокристаллы | ru_RU |
| dc.subject | кристаллы | ru_RU |
| dc.subject | температурная зависимость | ru_RU |
| dc.title | Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu2ZnGeS4 | ru_RU |
| dc.title.alternative | Growth, crystal structure and temperature dependence of the band gap of Cu2ZnGeS4 single crystals | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Cu2ZnGeS4 single crystals were grown by chemical vapor transport reaction method. Their composition and crystal structure were determined. It was shown that the obtained single crystals crystallize in a tetragonal structure. The band gap of the obtained single crystals was determined basing on transmission spectrum in the region of the absorption edge in temperature range of 10−320 K. It was found that band gap width increases with decreasing of temperature. | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
