Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/50361
Title: Интегральный биполярный транзистор
Other Titles: А. с. 865081 СССР
Authors: Матсон, Э. А.
Галузо, В. Е.
Keywords: патенты;микроэлектроника;биполярные транзисторы
Issue Date: 1982
Publisher: Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий
Citation: Интегральный биполярный транзистор : а. с. 865081 СССР : МПК H 01L 29/72 / Матсон Э. А., Галузо В. Е. ; заявитель и патентообладатель Минский радиотехнический институт. – № 2922174/18-25 ; заявл. 08.05.1980 ; опубл. 23.08.1982. – 3 с.
Abstract: Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к конструкциям биполярных транзисторов.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/50361
Appears in Collections:Изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Pat_865081.pdf161.24 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.