| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Нарейко, А. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-11-13T10:24:07Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-20T08:09:36Z | - |
| dc.date.available | 2015-11-13T10:24:07Z | |
| dc.date.available | 2017-07-20T08:09:36Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.citation | Нарейко, А. И. Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / А. И. Нарейко; науч. рук. В. Е. Борисенко. - Мн.: БГУИР, 2000. - 16 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5041 | - |
| dc.description.abstract | Целью настоящей диссертационной работы явилось установление закономерностей воздействия слабого постоянного и переменного магнитного поля на электрофизические параметры оксида кремния и границы кремний - оксид, выявление механизма последействия этого поля, разработка рекомендаций по обеспечению долглвременной стабильности МДП-структур в условиях воздействия СМП. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | interface | ru_RU |
| dc.subject | silicon oxide | ru_RU |
| dc.subject | low magnetic field | ru_RU |
| dc.subject | charge transport | ru_RU |
| dc.subject | magnetic isotope | ru_RU |
| dc.subject | spin | ru_RU |
| dc.subject | nuclear polarization and relaxation | ru_RU |
| dc.subject | aftereffect | ru_RU |
| dc.title | Влияние слабых магнитных полей на свойства границы кремний-оксид кремния | ru_RU |
| dc.title.alternative | Low magnetic fields influence on the properties of silicon silicone-oxide interface | ru_RU |
| dc.type | Abstract of the thesis | ru_RU |
| local.description.annotation | Proposed is a principle and system of automated control of parameters of metal- insulator- semiconductor (MIS) structures exposed to low magnetic fields (LMF) which causes long-term variation of their parameters; the algorithm of the consistent sampling analysis is proposed. | - |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
