| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Калита, Е. В. | - |
| dc.contributor.author | Боровиков, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Бересневич, А. И. | - |
| dc.coverage.spatial | Москва | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-03-13T05:48:08Z | - |
| dc.date.available | 2023-03-13T05:48:08Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Прогнозирование надёжности биполярных транзисторов по постепенным отказам методом имитационного моделирования = Prediction of reliability of bipolar transistors by gradual failures by simulations / Калита Е. В., Боровиков С. М., Бересневич А. И. // Интернаука: научный журнал. – 2023. – № 8(278). – Ч. 3. – С. 19–22. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/50421 | - |
| dc.description.abstract | На примере биполярных транзисторов показано получение по результатам обучающего эксперимента имитационной модели в виде функции пересчёта заданной наработки на значение имитационного воздействия. Используя имитационную модель, выполнено индивидуальное прогнозирование электрического параметра транзисторов контрольной выборки для длительных наработок с последующей оценкой ошибки прогнозирования. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Интернаука | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | биполярные транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | имитационное моделирование | ru_RU |
| dc.title | Прогнозирование надёжности биполярных транзисторов по постепенным отказам методом имитационного моделирования | ru_RU |
| dc.title.alternative | Prediction of reliability of bipolar transistors by gradual failures by simulations | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Using the example of bipolar transistors, it is shown that, based on the results of a training experiment, a simulation model is obtained in the form of a function of recalculating a given operating time by the value of a simulation effect. Using a simulation model, an individual prediction of the electrical parameter of the transistors of the control sample for long-term operating time was performed, followed by an estimate of the prediction error. | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
