Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/50620
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛосев, В. В.-
dc.contributor.authorУрбанович, П. П.-
dc.coverage.spatialМоскваru_RU
dc.date.accessioned2023-03-21T10:53:44Z-
dc.date.available2023-03-21T10:53:44Z-
dc.date.issued1983-
dc.identifier.citationУстройство для коррекции отказов в полупроводниковой памяти : а. с. 1049981 А СССР : МПК G 01 R 23/02 / Лосев В. В., Урбанович П. П. ; заявитель и патентообладатель Минский радиотехнический институт. – № 3444112/18-24 ; заявл. 16.04.1982 ; опубл. 23.10.1983 – 8 с. : ил.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/50620-
dc.description.abstractИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении больших интегральных схем запоминающих устройств (БИС ЗУ) с многоразрядной организацией накопителя, имеющих большую площадь кристаллов и блоков памяти повышенной надежности.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherГосударственный комитет СССР по делам изобретений и открытийru_RU
dc.subjectпатентыru_RU
dc.subjectвычислительная техникаru_RU
dc.subjectполупроводниковые БИСru_RU
dc.subjectэлементы Иru_RU
dc.titleУстройство для коррекции отказов в полупроводниковой памятиru_RU
dc.title.alternativeА. с. 1049981 А СССРru_RU
dc.typeOtherru_RU
Appears in Collections:Изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Pat_1049981.pdf662.16 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.