| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Лосев, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Урбанович, П. П. | - |
| dc.coverage.spatial | Москва | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-03-21T10:53:44Z | - |
| dc.date.available | 2023-03-21T10:53:44Z | - |
| dc.date.issued | 1983 | - |
| dc.identifier.citation | Устройство для коррекции отказов в полупроводниковой памяти : а. с. 1049981 А СССР : МПК G 01 R 23/02 / Лосев В. В., Урбанович П. П. ; заявитель и патентообладатель Минский радиотехнический институт. – № 3444112/18-24 ; заявл. 16.04.1982 ; опубл. 23.10.1983 – 8 с. : ил. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/50620 | - |
| dc.description.abstract | Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении больших интегральных схем запоминающих устройств (БИС ЗУ) с многоразрядной организацией накопителя, имеющих большую площадь кристаллов и блоков памяти повышенной надежности. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий | ru_RU |
| dc.subject | патенты | ru_RU |
| dc.subject | вычислительная техника | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые БИС | ru_RU |
| dc.subject | элементы И | ru_RU |
| dc.title | Устройство для коррекции отказов в полупроводниковой памяти | ru_RU |
| dc.title.alternative | А. с. 1049981 А СССР | ru_RU |
| dc.type | Other | ru_RU |
| Appears in Collections: | Изобретения
|
