| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Долбик, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Зубов, А. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Крисевич, С. Н. | - |
| dc.contributor.author | Сычевич, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Короткевич, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Лазарук, С. К. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-11-20T11:43:55Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-13T06:27:05Z | - |
| dc.date.available | 2015-11-20T11:43:55Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-13T06:27:05Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Увеличение механического импульса в микроэлектромеханических системах, использующих энергию горения нанопористого кремния / А. В. Долбик [ и др.] // Доклады БГУИР. - 2015. - № 6 (92). - С. 90 - 93. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5081 | - |
| dc.description.abstract | Процесс горения нанопористого кремния с межпоровым пространством, заполненным
твердотельным окислителем, исследовался с целью его использования в качестве источника
энергии для механического движения микроэлектромеханических систем с реактивной
тягой. Исследования показали, что механический импульс микросистемы с кремниевым
чипом площадью 1 см2 может быть увеличен до 130 мН с за счет увеличения объема
нанопористого кремния, а также за счет увеличения массы несущей платформы. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | нанопористый кремний | ru_RU |
| dc.subject | окислитель | ru_RU |
| dc.subject | механический импульс | ru_RU |
| dc.title | Увеличение механического импульса в микроэлектромеханических системах, использующих энергию горения нанопористого кремния | ru_RU |
| dc.title.alternative | Mechanical impulse enhancement in MEMS using porous silicon combustion process | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Nanostructured porous silicon impregnated by solid state oxidants has been studied in order to
provide the mechanical impulse for jet-propulsion microsystems. The system with jet-propulsion
movement on a silicon chip has been used for impulse measurements. The estimated impulse value is
in the range of 25-130 mN·s by using of carrying platform for Si chips. | - |
| Appears in Collections: | №6 (92)
|
