| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Будник, А. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2015-11-28T10:42:07Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-20T08:41:24Z | - |
| dc.date.available | 2015-11-28T10:42:07Z | |
| dc.date.available | 2017-07-20T08:41:24Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | - |
| dc.identifier.citation | Будник, А. В. Физико-топологическое моделирование МОП-транзисторов для схемотехнического проектирования низкоэнергетических КМОП-схем:автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / А. В. Будник; науч. рук. А.И. Корзун. - Мн.: БГУИР, 2001. - 23 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5103 | - |
| dc.description.abstract | Целью работы является разработка физико-топологической модели МОП- транзистора, основанной на зарядовом приближении, учитывающей зависимость поверхностного потенциала, подвижности носителей заряда от режимов его работы в предпороговой области и сильной инверсии и обеспечивающей адекватность расчета выходной вольт-амперной характеристики. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
| dc.subject | модель МОП - транзистора | ru_RU |
| dc.subject | подвижность носителей заряда | ru_RU |
| dc.subject | ток стока МОП — транзистора | ru_RU |
| dc.subject | поверхностный потенциал | ru_RU |
| dc.subject | программное обеспечение | ru_RU |
| dc.subject | the model of MOSFET | ru_RU |
| dc.subject | carrier mobility | ru_RU |
| dc.subject | MOSFET drain current | ru_RU |
| dc.subject | surface potential | ru_RU |
| dc.subject | oftware | ru_RU |
| dc.title | Физико-топологическое моделирование МОП-транзисторов для схемотехнического проектирования низкоэнергетических КМОП-схем. | ru_RU |
| dc.title.alternative | Physical and topological modeling of MOSFET for low-energy CMOS chips engineering. | ru_RU |
| dc.type | Abstract of the thesis | ru_RU |
| local.description.annotation | The aim of the present dissertation is to develop the MOSFET physical and topological model, based on charge approximation, which considers surface potential dependence, carrier mobility against its operation modes: under threshold and of strong inversion. The model should provide adequate calculation of output VAC. | - |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
