Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5106
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСоловьев, Я. А.-
dc.date.accessioned2015-11-30T08:19:26Z
dc.date.accessioned2017-07-20T08:21:35Z-
dc.date.available2015-11-30T08:19:26Z
dc.date.available2017-07-20T08:21:35Z-
dc.date.issued2005-
dc.identifier.citationСоловьев, Я. А. Конструктивно-технологические методы формирования тонкопленочных элементов кремниевых диодов шоттки с повышенной воспроизводимостью свойств в серийном производстве : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Я. А. Соловьев; науч. рук. В. В. Баранов. - Мн.: БГУИР, 2005. - 22 с.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5106-
dc.description.abstractЭкспериментально установлены зависимости кристаллической структуры, механических и электрофизических свойств тонких пленок молибдена и его сплавов, нанесенных магнетронным распылением, от параметров технологического процесса Определены интервалы оптимальных значений давления аргона, температуры подложки, и скорости нанесения, при которых достигается наилучшее сочетание структурных, механических и электрофизических свойств. Разработана конструкция кремниевого диода Шоттки, с двухслойным пассивирующим покрытием Si02/Ta205 с толщиной слоя пентаоксида тантала 0,07 - 0,4 мкм, обеспечивающим наилучшую защиту твердотельной структуры диода Шоттки от деградации электрических параметров после высокотемпературного микромонтажа.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдиод Шотткиru_RU
dc.subjectвольтамперная характеристикаru_RU
dc.subjectвысота барьераru_RU
dc.subjectтонкие пленкиru_RU
dc.subjectмагнетронное распылениеru_RU
dc.subjectмолибденru_RU
dc.subjectмеханические напряженияru_RU
dc.subjectсилицидыru_RU
dc.subjectSchottky dioderu_RU
dc.subjectvoltage-current characteristicru_RU
dc.subjectbarrier heightru_RU
dc.subjectthin filmsru_RU
dc.subjectmagnetron sputteringru_RU
dc.subjectmolybdenumru_RU
dc.subjectmechanical stressru_RU
dc.subjectsilicidesru_RU
dc.titleКонструктивно-технологические методы формирования тонкопленочных элементов кремниевых диодов шоттки с повышенной воспроизводимостью свойств в серийном производствеru_RU
dc.title.alternativeThin film elemets design and formation methods for silicon schottky diodes with improved reproducibility of properties in a batch productionru_RU
dc.typeAbstract of the thesisru_RU
local.description.annotationThe design of silicon Schottky diode, with two-layer passivation coverage Si02/Ta205 with thickness of a layer tantalum pentaoxide 0,07 - 0,4 microns, providing the best protection of solid-state structure of Schottky diode against electric parameters degradation after high-temperature microinstallation is developed.-
Appears in Collections:05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Соловьев Я. А. .pdf1.29 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.