DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Соловьев, Я. А. | - |
dc.date.accessioned | 2015-11-30T08:19:26Z | |
dc.date.accessioned | 2017-07-20T08:21:35Z | - |
dc.date.available | 2015-11-30T08:19:26Z | |
dc.date.available | 2017-07-20T08:21:35Z | - |
dc.date.issued | 2005 | - |
dc.identifier.citation | Соловьев, Я. А. Конструктивно-технологические методы формирования тонкопленочных элементов кремниевых диодов шоттки с повышенной воспроизводимостью свойств в серийном производстве : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Я. А. Соловьев; науч. рук. В. В. Баранов. - Мн.: БГУИР, 2005. - 22 с. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5106 | - |
dc.description.abstract | Экспериментально установлены зависимости кристаллической структуры, механических и электрофизических свойств тонких пленок молибдена и его сплавов, нанесенных магнетронным распылением, от параметров технологического процесса Определены интервалы оптимальных значений давления аргона, температуры подложки, и скорости нанесения, при которых достигается наилучшее сочетание структурных, механических и электрофизических свойств. Разработана конструкция кремниевого диода Шоттки, с двухслойным пассивирующим покрытием Si02/Ta205 с толщиной слоя пентаоксида тантала 0,07 - 0,4 мкм, обеспечивающим наилучшую защиту твердотельной структуры диода Шоттки от деградации электрических параметров после высокотемпературного микромонтажа. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | диод Шоттки | ru_RU |
dc.subject | вольтамперная характеристика | ru_RU |
dc.subject | высота барьера | ru_RU |
dc.subject | тонкие пленки | ru_RU |
dc.subject | магнетронное распыление | ru_RU |
dc.subject | молибден | ru_RU |
dc.subject | механические напряжения | ru_RU |
dc.subject | силициды | ru_RU |
dc.subject | Schottky diode | ru_RU |
dc.subject | voltage-current characteristic | ru_RU |
dc.subject | barrier height | ru_RU |
dc.subject | thin films | ru_RU |
dc.subject | magnetron sputtering | ru_RU |
dc.subject | molybdenum | ru_RU |
dc.subject | mechanical stress | ru_RU |
dc.subject | silicides | ru_RU |
dc.title | Конструктивно-технологические методы формирования тонкопленочных элементов кремниевых диодов шоттки с повышенной воспроизводимостью свойств в серийном производстве | ru_RU |
dc.title.alternative | Thin film elemets design and formation methods for silicon schottky diodes with improved reproducibility of properties in a batch production | ru_RU |
dc.type | Abstract of the thesis | ru_RU |
local.description.annotation | The design of silicon Schottky diode, with two-layer passivation coverage Si02/Ta205 with thickness of a layer tantalum pentaoxide 0,07 - 0,4 microns, providing the best protection of solid-state structure of Schottky diode against electric parameters degradation after high-temperature microinstallation is developed. | - |
Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|