Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5108
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСтасюк, Д. М.-
dc.date.accessioned2015-11-30T11:42:25Z
dc.date.accessioned2017-07-20T08:36:30Z-
dc.date.available2015-11-30T11:42:25Z
dc.date.available2017-07-20T08:36:30Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.citationСтасюк, Д. М. Прогнозирование надёжности биполярных транзисторов с использованием принципов пороговой логики методом троичного преобразования информативных параметров : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Д. М. Стасюк; науч. рук. С. М. Боровиков. - Мн.: БГУИР, 2001. - 19 с.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5108-
dc.description.abstractСистематизированы вероятностные связи (закономерности) информативных параметров транзисторов с уровнем их работоспособности. Предложен метод, позволяющий в отличие от базового метода пороговой логики использо¬вать для выполнения прогнозирования информативные параметры с разными закономерностями. Он основан на преобразовании информативных параметров в троичный код и принятии решения о работоспособности транзистора по на¬бору троичных чисел. Показано, что метод даёт лучшие результаты прогнозирования нежели базовый метод пороговой логики, но является сложнее.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectбиполярные транзисторыru_RU
dc.subjectнадёжностьru_RU
dc.subjectработоспособностьru_RU
dc.subjectиндивидуальное прогнозированиеru_RU
dc.subjectинформативные параметрыru_RU
dc.subjectметод пороговой логикиru_RU
dc.subjectтроичное преобразованиеru_RU
dc.subjectbipolar transistorsru_RU
dc.subjectreliabilityru_RU
dc.subjectup stateru_RU
dc.subjectindividual predictionru_RU
dc.subjectinformative parametersru_RU
dc.subjectmethod of threshold logicru_RU
dc.subjecttriple transformation of information parametersru_RU
dc.titleПрогнозирование надёжности биполярных транзисторов с использованием принципов пороговой логики методом троичного преобразования информативных параметровru_RU
dc.title.alternativeForecasting reliability of bipolar transistor using threshold logic on the basis of triple transformation of information parametersru_RU
dc.typeAbstract of the thesisru_RU
local.description.annotationProbabilistic relationships between informative parameters of transistors and their up state level have been systematized. The new technique has been offered that allows using informative parameters with different behaviour to make prediction, in contrast to the base method of threshold logic. The technique is based on converting informative parameters into ternary code and making up a conclusion about transistor up state taking into account the set of ternary numbers. The technique has been shown to give better results of prediction comparing to the base method of threshold logic, but at the same time it is more complicated.-
Appears in Collections:05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Стасюк Д. М. pdf.pdf3.39 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.