Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51167
Title: Влияние электрического поля на свойства гидрированного графена
Other Titles: Influence of the Electric Field on the Properties of Hydrogenated Graphene
Authors: Муравьёв, В. В.
Мищенко, В. Н.
Keywords: доклады БГУИР;графенены;графаны;зонные диаграммы
Issue Date: 2023
Publisher: БГУИР
Citation: Муравьёв, В. В. Влияние электрического поля на свойства гидрированного графена=Influence of the Electric Field on the Properties of Hydrogenated Graphene / В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. – 2023. – Т. 21, № 2. – С. 21-26.
Abstract: Графен рассматривается в настоящее время как один из наиболее перспективных материалов для создания новых полупроводниковых приборов для различных диапазонов частот. Путем моделирования из первых принципов (ab initio метод) исследовано влияние внешнего электрического поля на свойства зонной диаграммы материала графана, который является модификацией графена при использовании атомов водорода. Установлено, что приложенное к структуре графана внешнее электрическое поле приводит к существенному изменению его зонных диаграмм, которое связанно с изменением их типа. При малых значениях напряженности внешнего электрического поля, приблизительно до 0,3 a.u. (1 a.u. ≈ 51,4 ⋅ 10 10 В/м), наблюдаются зонные диаграммы графана с прямым минимальным зазором для долины Г между зоной проводимости и валентной зоной. С дальнейшим увеличением напряженности внешнего электрического поля зонные диаграммы демонстрируют непрямой минимальный зазор. При еще больших значениях напряженности внешнего электрического поля, которые превышают 0,8 a.u., зонные диаграммы графана приобретают вид, свойствененный металлическим структурам. Полученные зависимости и параметры графана могут служить основой для создания новых гетероструктурных приборов, содержащих слои графена и других полупроводниковых материалов.
Alternative abstract: Graphene is currently considered as one of the most promising materials for the creation of new semiconductor devices for various frequency ranges. The influence of an external electric field on the properties of the band diagram of the graphene material, which is a modification of graphene using hydrogen atoms, was studied by simulating from the first principles (ab initio method). It was found that an external electric field applied to the graphene structure leads to a substantial change in its band diagrams, which is associated with a change in their type. At small values of external electric field strength, approximately up to 0.3 a.u. (1 a.u. ≈ 51.4 ⋅ 10 10 V/m), we observe graphane zone diagrams with straight minimal gap for Г valley between conduction and valence zones. With further increase in external electric field strength the zone diagrams show indirect minimal gap. With even higher values of external electric field strength, which exceed 0.8 a.u., graphane band diagrams take on a form peculiar to metallic structures. These dependences and the resulting graphene parameters could be the basis for new heterostructure devices containing layers of graphene and other semiconductor materials.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51167
DOI: http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2023-21-2-21-26
Appears in Collections:Том 21, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Muravev_Vliyanie.pdf880.47 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.