| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ван Тунг Фам | - |
| dc.contributor.author | Чубенко, Е. Б. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-04-29T08:16:02Z | - |
| dc.date.available | 2023-04-29T08:16:02Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Ван Тунг Фам. Резисторная модель слоистых пленочных структур=Resistor Model of Layered Film Structures / Ван Тунг Фам, Е. Б. Чубенко, В. Е. Борисенко // Доклады БГУИР. – 2023. – Т. 21, № 2. – С. 14-20. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51173 | - |
| dc.description.abstract | Предлагается электрические свойства пленочных структур, состоящих из двумерных слоев,
образованных нанокристаллическими зернами полупроводника, моделировать эквивалентной схемой.
В данной схеме соединенные определенным образом резисторы показывают сопротивление токопроводящих каналов в металлических контактах к ним, материала зерен, межзеренных и межслоевых потенциальных барьеров. Численным моделированием установлено, что распределение тока по площади контактов существенно неоднородно. Плотность тока на периферии контактов может в 3–6 раз превышать этот
показатель в их центре. Величины же локальных токов и их распределение по объему слоистых пленок
зависят от их зернистости, количества слоев и электронных свойств потенциальных барьеров между зернами и слоями. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | слоистые пленки | ru_RU |
| dc.subject | эквивалентные схемы | ru_RU |
| dc.subject | нанокристаллы | ru_RU |
| dc.title | Резисторная модель слоистых пленочных структур | ru_RU |
| dc.title.alternative | Resistor Model of Layered Film Structures | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2023-21-2-14-20 | - |
| local.description.annotation | Electric properties of film structures consisting of two-dimensional layers, composed by nanocrystalline grains of a semiconductor are proposed to be modeled with an equivalent scheme, in which resistors indicate
electrical resistance of current channels in metallic contacts, grain material, potential barriers between grains and
layers. Numerical simulation within the model has shown that there is a nonuniform current distribution over the
area of the contacts. Current density at their edges can be 3–6 times higher than in the center. Local currents and
their distribution in the film bulk are determined by the grain structure of the film, number of the layers, electronic
properties of the barriers between grains and layers. | ru_RU |
| Appears in Collections: | Том 21, № 2
|
