| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ковалевский, А. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Москва | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-05-02T07:58:50Z | - |
| dc.date.available | 2023-05-02T07:58:50Z | - |
| dc.date.issued | 1992 | - |
| dc.identifier.citation | Способ формирования межслойной изоляции в производстве интегральных микросхем : а. с. 1711269 А1 СССР : МПК H 01 L 21/324 / А. А. Ковалевский ; заявитель и патентообладатель Минский радиотехнический институт. – № 4819463/25 ; заявл. 27.04.1990 ; опубл. 07.02.1992 – 4 с. : ил. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51185 | - |
| dc.description.abstract | Изобретение относится к области электронной техники, в частности к технологии оплавления фосфоросиликатного стекла в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий | ru_RU |
| dc.subject | патенты | ru_RU |
| dc.subject | электротехника | ru_RU |
| dc.subject | интегральные микросхемы | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | ru_RU |
| dc.title | Способ формирования межслойной изоляции в производстве интегральных микросхем | ru_RU |
| dc.title.alternative | А. с. 1711269 А1 СССР | ru_RU |
| dc.type | Other | ru_RU |
| Appears in Collections: | Изобретения
|
