| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Бондаренко, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Иванов, И. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-05-17T11:31:09Z | - |
| dc.date.available | 2023-05-17T11:31:09Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Бондаренко, А. С. Влияние вращающегося диссектора в объемном резонаторе на равномерность нагрева СВЧ энергией кремниевой пластины = Influence of a rotating dissector in a cavity resonator on the uniformity microwave heating of silicon wafer / Бондаренко А. С., Иванов И. А. // Электронные системы и технологии : сборник материалов 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 17–21 апреля 2023 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2023. – С. 551–553. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51426 | - |
| dc.description.abstract | Проведено моделирование нагрева полупроводниковой пластины в резонаторной камере СВЧ нагревательной системы. Показано, что наличие в камере вращающегося металлического диссектора может значительно повысить равномерность нагрева кремниевой пластины СВЧ энергией. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые пластины | ru_RU |
| dc.subject | кремниевые пластины | ru_RU |
| dc.subject | диссекторы | ru_RU |
| dc.title | Влияние вращающегося диссектора в объемном резонаторе на равномерность нагрева СВЧ энергией кремниевой пластины | ru_RU |
| dc.title.alternative | Influence of a rotating dissector in a cavity resonator on the uniformity microwave heating of silicon wafer | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Simulation of the heating of a semiconductor wafer in the resonator chamber of a microwave heating system is carried out. It is shown that the presence of a rotating metal dissector in the chamber can significantly increase uniformity of silicon wafer heating. | ru_RU |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 59-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2023)
|
