| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Доан, Т. Х. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-05-18T05:58:42Z | - |
| dc.date.available | 2023-05-18T05:58:42Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Доан, Т. Х. Влияние легирования титаном на диэлектрические характеристики пленок оксида циркония = Effect of titanium doping on the dielectric characteristics of zirconium oxide films / Доан Т. Х. // Электронные системы и технологии : сборник материалов 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 17–21 апреля 2023 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2023. – С. 498–501. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51434 | - |
| dc.description.abstract | Проведено сравнение диэлектрических свойств пленок оксида циркония и оксида титана-циркония, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления Zr и Ti-Zr мозаичной мишени в среде Ar/O2 рабочих газов. Получены зависимости диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, напряженности поля пробоя и ширины запрещенной зоны пленок от концентрации кислорода в Ar/O2 смеси газов в процессе нанесения. Установлено, что легирование титаном (33 ат.%) приводит к увеличению диэлектрической проницаемости до 13 – 21, увеличению диэлектрических потерь до 0,02 – 0,08 на частоте 1 кГц, до 0,08 – 0,15 на частоте 1 МГц, снижению напряженности поля пробоя до (0,4 – 2,4)×108 В/м и уменьшению ширины запрещенной зоны до 4,38 – 4,43 эВ. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | реактивное распыление | ru_RU |
| dc.subject | магнетронное распыление | ru_RU |
| dc.subject | тонкие пленки | ru_RU |
| dc.subject | диэлектрическая проницаемость | ru_RU |
| dc.title | Влияние легирования титаном на диэлектрические характеристики пленок оксида циркония | ru_RU |
| dc.title.alternative | Effect of titanium doping on the dielectric characteristics of zirconium oxide films | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The dielectric properties of zirconium oxide and titanium-zirconium oxide films deposited by reactive magnetron sputtering of Zr and Ti-Zr mosaic targets in Ar/O2 gas mixture are compared. The dependences of the dielectric permittivity, dielectric loss tangent, breakdown field strength, and band gap of the films on the oxygen concentration in the Ar/O2 gas mixture during deposition are obtained. It has been established that doping with titanium (33,6 at. %) leads to an increase in the permittivity to 13–21, in dielectric losses at a frequency of 1 kHz to 0,02–0,08, at a frequency of 1 MHz to 0,08–0,15, and a decrease in the breakdown field strength to (0,4– 2,4) × 108 V/m and a decrease in the band gap to 4,38 – 4,43 eV. | ru_RU |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 59-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2023)
|
