| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Литвинова, А. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-05-19T06:05:58Z | - |
| dc.date.available | 2023-05-19T06:05:58Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Литвинова, А. В. Дальнейшее развитие приборов силовой электроники – использование широкозонных полупроводников = Further development of power electronics devices – the use of wide band gap semiconductors / Литвинова А. В. // Электронные системы и технологии : сборник материалов 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 17–21 апреля 2023 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2023. – С. 397–400. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/51467 | - |
| dc.description.abstract | В настоящее время кремний достиг своих пределов в качестве основного материала силовой электроники. В ряде применений постепенно его заменят широкозонные полупроводники. Использование мощных GaN- или SiC-транзисторов приводит к более простым и эффективным решениям для преобразования энергии. Показано преимущество использования широкозонных полупроводников в качестве материалов для полупроводниковых приборов силовой электроники. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | силовая электроника | ru_RU |
| dc.subject | широкозонные полупроводники | ru_RU |
| dc.title | Дальнейшее развитие приборов силовой электроники – использование широкозонных полупроводников | ru_RU |
| dc.title.alternative | Further development of power electronics devices – the use of wide band gap semiconductors | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Currently, silicon has reached its limits as the main material of power electronics. In a number of applications, it will gradually be replaced by wide band gap semiconductors. The use of high-power GaN or SiC transistors leads to simpler and more efficient solutions for energy conversion. The advantage of using wide band gap semiconductors as materials for semiconductor devices of power electronics is shown. | ru_RU |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 59-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2023)
|
