| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Хомец, А. Л. | - |
| dc.contributor.author | Мигас, Д. Б. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-06-22T12:34:40Z | - |
| dc.date.available | 2023-06-22T12:34:40Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Хомец, А. Л. Влияние эффекта взаимодиффузии на границах раздела на поперечную фононную теплопроводность в слоистых тонкопленочных структурах Ge/Si(001) = Effect of interdiffusion at interfaces on the cross-plane phonon thermal conductivity in layered thin-film Ge/Si(001) structures / А. Л. Хомец, Д. Б. Мигас // Радиотехника и электроника : сборник материалов 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель 2023 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2023. – С. 121–122. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/52212 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе представлены результаты исследования поперечной фононной теплопроводности для
тонкопленочных структур Ge/Si(001) с резкими и перемешанными границами раздела. Было установлено, что при толщине тонкопленочных структур Ge/Si(001) более 5 нм имеет место существенное снижение теплопроводности при увеличении толщины перемешанных границ раздела. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | теплопроводность | ru_RU |
| dc.subject | молекулярная динамика | ru_RU |
| dc.subject | тонкопленочные структуры | ru_RU |
| dc.title | Влияние эффекта взаимодиффузии на границах раздела на поперечную фононную теплопроводность в слоистых тонкопленочных структурах Ge/Si(001) | ru_RU |
| dc.title.alternative | Effect of interdiffusion at interfaces on the cross-plane phonon thermal conductivity in layered thin-film Ge/Si(001) structures | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | In this paper we present the results of studying the cross-plane phonon thermal conductivity for Ge/Si(001)
layered thin-film structures with sharp and mixed interfaces. It was found that, when Ge/Si(001) thin-film
structures are thicker than 5 nm, there is a significant decrease in thermal conductivity with an increase in the
thickness of mixed interfaces. | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2023)
|
