| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Кратович, П. С. | - |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-06-22T12:43:40Z | - |
| dc.date.available | 2023-06-22T12:43:40Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Кратович, П. С. Сравнение параметров и возможностей моделей гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs = Comparison of parameters and capabilities of models for GaAs based heterojunction bipolar transistors / П. С. Кратович, И. Ю. Ловшенко // Радиотехника и электроника : сборник материалов 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель 2023 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2023. – С. 157–158. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/52214 | - |
| dc.description.abstract | В работе рассмотрены основные требования, предъявляемые к современным компактным моделям.
Представлено сравнение компактных моделей для адекватного описания работы гетеропереходных
биполярных транзисторов на основе арсенида галлия. Показаны преимущества и недостатки модели
Гуммеля-Пуна, на котором основаны рассматриваемые модели MEXTRAM level 504, UCSD-HBT
model и FBH-HBT model. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | гетеропереходы | ru_RU |
| dc.subject | биполярные транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | транзисторы | ru_RU |
| dc.title | Сравнение параметров и возможностей моделей гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs | ru_RU |
| dc.title.alternative | Comparison of parameters and capabilities of models for GaAs based heterojunction bipolar transistors | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | In this paper analyzed the basic requirements for modern compact models. A comparison of compact models
for predicting the operation of gallium arsenide based heterojunction bipolar transistors is presented. The
effects described by the models and the number of their parameters were used as a comparison. The advantages and disadvantages of the Hummel-Poon model, on which the considered models MEXTRAM level 504, UCSD-HBT model and FBH-HBT model are based, are considered. | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2023)
|
