| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Назаренко, А. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-06-23T06:17:25Z | - |
| dc.date.available | 2023-06-23T06:17:25Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Назаренко, А. А. Электронные свойства бистабильных электронных состояний в диоксиде гафния = Electronic properties of bistable electronic states in hafnium dioxide / А. А. Назаренко // Радиотехника и электроника : сборник материалов 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, апрель 2023 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2023. – С. 118–120. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/52220 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе моделируются электронные свойства бистабильных электронных состояний,
возникающих в диоксиде гафния при формовке в электрических полях. Приведены результаты расчетов зависимости формы ангармонических конфигурационных потенциалов от параметров дефектной структуры. Установлено, что в зависимости от значений параметров ангармонический бистабильный потенциал изменяет свою симметрию, а также глубину и ширину потенциальных ям. Проведенные расчеты влияния на электронные свойства бистабильных состояний параметров конфигурационных потенциалов показали, что при наличии периодического воздействия и шума возможны переходы из одного бистабильного состояния в другое. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | бистабильные состояния | ru_RU |
| dc.subject | диоксид гафния | ru_RU |
| dc.subject | многофононные взаимодействия | ru_RU |
| dc.title | Электронные свойства бистабильных электронных состояний в диоксиде гафния | ru_RU |
| dc.title.alternative | Electronic properties of bistable electronic states in hafnium dioxide | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | This paper simulates the electronic properties of bistable electronic states arising in hafnium dioxide during
molding in electric fields. The results of calculations of the dependence of the form of anharmonic configuration potentials on the parameters of the defective structure are presented. It is established that depending on the values of the parameters the anharmonic bistable potential changes its symmetry, as well as the depth and width of the potential wells. Calculations of the effect of configuration potentials parameters on the electronic properties of bistable states have shown that transitions from one bistable state to another are possible in the presence of periodic action and noise. | ru_RU |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2023)
|
