| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Галкин, Я. Д. | - |
| dc.contributor.author | Дворников, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Чеховский, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Прокопенко, Н. Н. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2023-09-01T06:50:25Z | - |
| dc.date.available | 2023-09-01T06:50:25Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Схемотехническая модернизация операционных усилителей для увеличения скорости нарастания выходного напряжения=Circuit Design Modernization of Operational Amplifiers for Increasing Slew Rate of Output Voltage / Я. Д. Галкин [и др.] // Доклады БГУИР. – 2023. – Т. 21, № 4. – С. 46–53. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/52668 | - |
| dc.description.abstract | Для удовлетворения существующей потребности отечественного рынка радиоэлектронной
аппаратуры в быстродействующих широкополосных операционных усилителях ранее было предложено
использование базового матричного кристалла МН2ХА031, содержащего комплементарные биполярные
транзисторы, совместно с разработанными схемами быстродействующего операционного OAmp9 и прецизионного операционного OAmp10 усилителей с унифицированными каскадами и возможностью программирования таких параметров, как ток потребления, максимальный выходной ток, полоса пропускания, скорость нарастания выходного напряжения. В статье рассмотрено увеличение быстродействия указанных операционных усилителей за счет уменьшения паразитной коллекторной емкости транзисторов подачей обратного напряжения смещения в OAmp9 и применения корректирующих цепей в OAmp10, что позволило увеличить скорость нарастания выходного напряжения на 29 % в первом случае и в 3,1 раза во втором. Приведены электрические схемы и результаты схемотехнического моделирования модернизированных усилителей, названных OAmp9M и OAmp10M, которые соответственно характеризуются напряжением смещения нуля 0,35 и 0,03 мВ, коэффициентом усиления напряжения 2,7 · 10 3 и 3 · 10 5 , произведением коэффициента усиления напряжения на ширину полосы пропускания 161 МГц и 68 МГц, скоростью нарастания выходного напряжения 708 и 64,5 В/мкс. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | операционные усилители | en_US |
| dc.subject | матричные кристаллы | en_US |
| dc.subject | биполярные транзисторы | en_US |
| dc.title | Схемотехническая модернизация операционных усилителей для увеличения скорости нарастания выходного напряжения | en_US |
| dc.title.alternative | Circuit Design Modernization of Operational Amplifiers for Increasing Slew Rate of Output Voltage | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2023-21-4-46-53 | - |
| local.description.annotation | To meet the existing needs of the domestic market of radio electronic equipment in high-speed wideband
operational amplifiers, it was previously proposed to use the MH2XA031 master slice array containing comp -
lementary bipolar transistors, together with the developed circuits of the OAmp9 high-speed operational amplifier and the OAmp10 precision operational amplifier with unified cascades and the ability to program parameters such as current consumption, maximum output current, bandwidth, slew rate. The article discusses the increase in the performance of these operational amplifiers by reducing the parasitic collector capacitance of transistors by applying a reverse bias voltage to OAmp9 and using correction circuits in OAmp10, which made it possible to increase the output voltage slew rate by 29 % in the first case and 3.1 times in the second. The electrical circuits and the results of circuit simulation of the upgraded amplifiers, called OAmp9M, OAmp10M, are presented, which are respectively characterized by a zero offset voltage of 0.35 and 0.03 mV, a voltage gain of 2.7 · 10 3 and 3 · 10 5 , the gain bandwidth product 161 and 68 MHz, output voltage slew rate 708 and 64.5 V/µs. | en_US |
| Appears in Collections: | Том 21, № 4
|
