| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Бондарев, А. А. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2023-10-12T12:18:58Z | - |
| dc.date.available | 2023-10-12T12:18:58Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Бондарев, А. А. Структура GaN транзисторов/ А. А. Бондарев // Научная конференция учащихся колледжа : материалы 59-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 17–21 апреля 2023 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минский радиотехнический колледж ; редкол.: В. В. Шаталова [и др.]. – Минск : БГУИР, 2023. – С. 287–289. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53082 | - |
| dc.description.abstract | Предоставленные материалы направлены на изучение структуры современного
решения высокоэффективных транзисторов GaN структуры и его сравнение с технологией. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | транзисторы | en_US |
| dc.subject | GaN | en_US |
| dc.subject | генеративно-состязательные сети | en_US |
| dc.subject | машинное обучение | en_US |
| dc.subject | MOSFET | en_US |
| dc.subject | МОП-транзисторы | - |
| dc.title | Структура GaN транзисторов | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Научная конференция учащихся колледжа : материалы 59-й научной конференции (2023)
|
