| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Тернов, Р. Е. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2023-10-19T06:40:43Z | - |
| dc.date.available | 2023-10-19T06:40:43Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Тернов, Р. Е. Физико-топологическая модель арсенид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов, работающего в условиях воздействия ионизирующего излучения : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1-41 80 03 / Р. Е. Тернов ; науч. рук. В. Р. Стемпицкий. – Минск : БГУИР, 2023. – 10 с. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53287 | - |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | en_US |
| dc.subject | технические науки | en_US |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | en_US |
| dc.subject | транзисторы | en_US |
| dc.title | Физико-топологическая модель арсенид-галлиевого транзистора с высокой подвижностью электронов, работающего в условиях воздействия ионизирующего излучения | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
| Appears in Collections: | 1-41 80 03 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике)
|
