| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Шапошников, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2023-11-21T07:47:04Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-21T07:47:04Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Шапошников, В. Л. Моделирование электронных свойств одномерных систем на основе сульфида олова / В. Л. Шапошников, А. В. Кривошеева // Актуальные проблемы физики твердого тела : сборник докладов Х Международной научной конференции, Минск, 22–26 мая 2023 / Национальная академия наук Беларуси, Научно-практический центр национальной академии наук Беларуси по материаловедению (институт физики твердого тела и полупроводников) ; редкол. В. М. Федосюк [и др.]. – Минск, 2023. – С. 586–589. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53696 | - |
| dc.description.abstract | В результате проведенного компьютерного моделирования установлены электронные
свойства нанотрубок сульфида олова. Показано, что все исследованные структуры являются
полупроводниковыми соединениями с шириной запрещенной зоны, меняющейся в диапазоне
от 1,2 до 1,7 эВ в зависимости от диаметра нанотрубки. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | А. Н. Вараксин | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | сульфиды серы | en_US |
| dc.subject | нанотрубки | en_US |
| dc.subject | ширина запрещенной зоны | en_US |
| dc.title | Моделирование электронных свойств одномерных систем на основе сульфида олова | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
