https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53765| Title: | Особенности технологии изготовления GaN-приборов |
| Other Titles: | Features of the manufacturing technology of GaN devices |
| Authors: | Литвинова, А. В. Ефименко, С. А. |
| Keywords: | публикации ученых;GaN-приборы;силовая электроника;полупроводниковые приборы;эпитаксиальное наращивание;изоляция приборов;литография |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | Белорусский национальный технический университет |
| Citation: | Литвинова, А. В. Особенности технологии изготовления GaN-приборов = Features of the manufacturing technology of GaN devices / А. В. Литвинова, С. А. Ефименко // Приборостроение – 2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, Минск, 15–17 ноября 2023 / Белорусский национальный технический университет. – Минск, 2023. – С. 425–426. |
| Abstract: | Сегодня приборы на основе нитрида галлия находят широкое применение в силовой электронике. Рассмотрены базовые технологические процессы создания приборов на основе GaN: начиная с эпитаксии и заканчивая сборкой |
| Alternative abstract: | Today, devices based on gallium nitride are widely used in power electronics. The basic technological processes of creating devices based on GaN are considered: starting with epitaxy and ending with assembly. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53765 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Litvinova_Osobennosti.pdf | 209.15 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.