Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54027
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГайшун, В. Е.-
dc.contributor.authorКосенок, Я. А.-
dc.contributor.authorВаськевич, В. В.-
dc.contributor.authorТюленкова, О. И.-
dc.contributor.authorБорисенко, В. Е.-
dc.contributor.authorКовальчук, Н. С.-
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.-
dc.contributor.authorЧумак, С. В.-
dc.coverage.spatialМинскen_US
dc.date.accessioned2024-01-08T13:30:03Z-
dc.date.available2024-01-08T13:30:03Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationСоединение пластин кремния стеклообразным нанокомпозитом, формируемым золь-гель методом = Silicon wafer bonding by the glass-like sol-gel formed nanocomposite / В. Е. Гайшун [и др.] // Весці Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. Серыя фізіка-матэматычных навук. – 2023. – Т. 59, № 3. – С. 233–240.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54027-
dc.description.abstractРазработан состав стеклообразующей композиции и лабораторная золь-гель технология соединения с ее помощью пластин монокристаллического кремния для создания структур «кремний – изолятор –кремний». Показана возможность снижения температуры формирования качественного соединительного слоя до 1000–1100 °С. Полученные с применением разработанного золь-гель метода стеклокомпозиции могут быть использованы в техно- логических процессах, требующих формирования неразъемных соединений кремниевых пластин.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherНациональная академия наук Беларусиen_US
dc.subjectпубликации ученыхen_US
dc.subjectстеклообразующие композицииen_US
dc.subjectмонокристаллический кремнийen_US
dc.subjectфизические наукиen_US
dc.subjectматематические наукиen_US
dc.titleСоединение пластин кремния стеклообразным нанокомпозитом, формируемым золь-гель методомen_US
dc.title.alternativeSilicon wafer bonding by the glass-like sol-gel formed nanocompositeen_US
dc.typeArticleen_US
dc.identifier.DOIDOI: 10.29235/1561-2430-2023-59-3-233-240-
local.description.annotationWe have herein developed a glass-forming composition and the related sol-gel technology for bonding monocrystalline silicon wafers to produce «silicon–insulator–silicon» structures. A possibility to fabricate defect-free glass-like bonding layers at the annealing temperature decreased to 1000–1100 °C is demonstrated. The composites obtained by the sol-gel method can be used in technological processes of formation of the solid compound of silicon wafers.en_US
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Gajshun_Soedineniya.pdf3.14 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.