| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Петлицкая, Т. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-01-06T07:43:44Z | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-20T08:33:24Z | - |
| dc.date.available | 2016-01-06T07:43:44Z | |
| dc.date.available | 2017-07-20T08:33:24Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Петлицкая, Т. В. МОП - конденсаторы интегральных схем на основе пентаоксида тантала: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Т. В. Петлицкая; науч. рук. В. В. Баранов. - Мн.: БГУИР, 2003. - 15 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5408 | - |
| dc.description.abstract | целью работы является установление закономерностей изменения электрофизических параметров и упруго-механических свойств комбинированного диэлектрика на основе системы Ta205 / Si02 и создание с его использованием конденсаторов для интегральных схем памяти. The principal goal: determination of behavior of electro-physical and elastic mechanical properties of combination dielectric on base of system of Ta205 / Si02 and formation of capacitors for memory IC | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
| dc.subject | канденсаторный диэлектрик | ru_RU |
| dc.subject | диэлектрическая проницаемость | ru_RU |
| dc.subject | интегральный конденсатор | ru_RU |
| dc.subject | capacitor dielectrics | ru_RU |
| dc.subject | dielectrics permeability | ru_RU |
| dc.subject | integrated capaci¬tor | ru_RU |
| dc.title | МОП - конденсаторы интегральных схем на основе пентаоксида тантала | ru_RU |
| dc.title.alternative | MOS - capacitors of integrated circuit on base of tantalum pentaoxide | ru_RU |
| dc.type | Abstract of the thesis | ru_RU |
| Appears in Collections: | 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
