Электрический транспорт в пористых структурах Si-Ge/c-Si, сформированных электрохимическим осаждением германия в пористый кремний

Abstract

Пленочные структуры на основе твердых растворов Si1–хGeх (0 < х < 1) в настоящее время получают методами химического осаждения из газовой фазы. Для приборного применения полученных структур необходимо знать электрофизические свойства материала, синтезированного при разных условиях. В работе проведены гальваномагнитные исследования электропроводности в пористых и сплошных пленках Si1–хGeх, а также концентрации и подвижности основных носителей заряда в них при температуре 30–300 К. Показано, что, как и в чистых кремнии и германии сравнимой пористости, электропроводность в исследованных образцах можно рассматривать как в среде с пустотами. Установлено, что тип основных носителей заряда в сплаве определяется типом использованной кремниевой подложки. Это практически важно для создания обоих плеч термоэлектрического преобразователя, что делает метод получения сплава Si1–хGeх перспективным для приборного применения, в частности в термоэлектрических преобразователях и литий-ионных аккумуляторах.